中國醫藥大學

MO理論

7月1日 13:39
1.請問要如何畫出以下的能階圖啊?不太懂中間那塊要怎麼畫出來? 2.請問如何以下圖判斷C2的鍵結電子數為6、反鍵結電子數為2? 感謝好心人解答🙏~
共 20 則回應
國立臺北科技大學
兩個原子軌域重疊就會產生兩個分子軌域 一個bonding 能階比較低 一個antibonding 能階比較高 電子填到antibonding 鍵結就會被削弱 像下面那張這種題目就很常考 基本上都會直接背起來去填電子 然後看bond order
原PO - 中國醫藥大學
B1 所以請問下圖怎麼看出鍵結電子數為6 反鍵結電子數為2?
國立臺北科技大學
對到左邊的分子軌域 有打*就是antibonding 所以bonding有sigma 2s 2個電子+ pi 4個電子 = 6個 anti bonding 有sigma 2s* 2個電子
原PO - 中國醫藥大學
了解~謝謝你 那麼左邊那些分子軌域是要怎麼知道有那些呢?而且我看不懂要怎麽排他們的能量高低
國立臺北科技大學
B4 這個要看軌域是怎麼重疊的 通常s orbital互相重疊就是sigma bond s + p orbital也是sigma bond 因為sigma bond是軌域直接重疊的 鍵會比較強 相對來說也比較穩定 能階較低 然後兩個p orbital平行就是產生pi bond 這種軌域沒有直接重疊的鍵比較弱 那anti bonding是bonding軌域相對產生的 通常bonding的能階越低 代表你不容易破壞這個鍵 相對的antibonding的能階就比較高
原PO - 中國醫藥大學
B5 那請問為何sigma 2s的能量比pi還弱啊?pi不是比較弱嗎
國立臺北科技大學
B6 感覺我解釋的不是很好 可能要等其他高手來解釋 不然可以直接聽臺大蔡蘊明老師的普化開放式課程👌
原PO - 中國醫藥大學
不會不會 很謝謝你那麼有耐心解釋!沒關係剩下的部分我再自己想想辦法~謝謝你
B7 請問一下填電子的時候是先填滿一個橫排再往上填下一個橫排 還是先填鍵結軌域 三個鍵結軌域都先半滿之後每個軌域再填入第二顆電子 全滿之後再填反鍵結軌域( 然後也是先半滿再填第二顆)
國立成功大學 化學系
這個如果真的要了解的話要用量化的薛丁格方程算出兩個鍵結跟反鍵結軌域的波函數,在用線性組合相加減得到,不然就只能用背的,沒有其他辦法,有修過量化的就應該知道我在說什麼了😂
國立成功大學
由下往上填B9
國立中山大學
B9 當然是由下往上填,因為下面是較低能階(aufbau principle) ,但是還是要相同能量的能階(degenerate)一樣都要先半滿(Hund’s rule)
國立成功大學 化學系
用node數量判斷B6
B12 那請問同一橫排有x跟y軌域 是兩個都先半滿再全滿還是先把期中一個填滿再填另一個
國立成功大學 化學系
半滿在全滿B14
國立中山大學
B14 兩個都先半滿
原PO - 中國醫藥大學
B13 請問怎麼判斷😂
B15 B16 好的 了解 謝謝你們!這個問題困擾我好久了 太感謝你們了
國立成功大學
原本正常情況是11 1221 但硼碳氮因為sigma orbital的分裂能量不夠大,導致排序異常(實驗測得),
正常來說排序是要依節點數量排序B17
國立臺北科技大學
3A~5A 有經過混成嗎